近期，俞大鹏院士带领的 “纳米结构与低维物理”研究团队在大单晶石墨烯的生长方面取得新的重要进展，利用CVD方法在1000 oC左右热解甲烷气体，把多晶铜衬底上石墨烯单晶的生长速度提高了150倍，达到60 μm/s。

(via:sina)

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